Leistungshalbleiter

Rohm Semiconductor

P-Kanal-MOSFETs mit niedrigerem Einschaltwiderstand

Um 24 P-Kanal-MOSFETs mit einer Spannungsfestigkeit von –40 V und –60 V hat Rohm seine Produktpalette erweitert. Hervorstechendes Merkmal ist der Einschaltwiderstand, der bis zu 62 Prozent niedriger als bei Konkurrenzprodukten sein soll.

Leistungshalbleiter

Infineon verbaut SiC-Dioden in 650-V-IGBTs

Als Brücke zwischen reinen Siliziumlösungen und hochleistungsfähigen SiC-MOSFET-Designs...

Namensänderung

Gregg Lowe: »Aus Cree wird Wolfspeed«

Gregg Lowe, CEO von Cree, hat bekanntgegeben, dass das Unternehmen seinen...

Knowmade

Patentlandschaft bei Power-Modulen entwickelt sich dynamisch

Durch den Aufschwung bei Elektro- und Hybridautos (EV/HEV) ist die Zahl der...

Interview mit Agnes Jahnke, X-Fab

Siliziumkarbid aus der Foundry

Bei Galliumnitrid gibt es bereits ein gut funktionierendes Foundry-Geschäft, nicht aber...

Vishay / Siliziumkarbid

SiC-Dioden für 650 V im Merged-PIN-Schottky-Design

SiC-Dioden mit Nennströmen von 4 A bis 40 A hat Vishay Intertechnology präsentiert. Mit...

Halbleiterindustrie 2021

Wachstum während der COVID-19-Pandemie

Digitalisierung, Elektromobilität und Bandbreite haben während der Pandemie einen...

Energiemanagement für Rechenzentren

Leistungselektronik öffnet neue Horizonte

Rechenzentren boomen dank stetig steigender Datenvolumina. Die hohen Erwartungen an...

Rohm Semiconductor

SiC-Leistungshalbleiter mit Ökostrom herstellen

In seinem Apollo-Werk im japanischen Chikugo hat Rohm nun ein neues Gebäude...

Halbleiter-Relais mit 1A und 60V

Robustes SSR mit doppeltem Fehlerschutz

Littelfuse bringt mit dem Solid State Relais (SSR) CPC1561B das derzeit stromlos...